8月28日， elexcon2025 深圳國際電子展暨嵌入式展在深圳圓滿落幕。作為存儲領域的創新企業，宏芯宇以 “芯存無限，智聯未來” 為主題精彩參展。展會期間，宏芯宇全面展出旗下自研主控芯片、嵌入式存儲、固態硬盤、移動存儲、內存產品等全棧產品矩陣，同步呈現多領域行業級解決方案，向業界展現了國產存儲在從消費電子到汽車智能化的多元場景中的應用潛力與創新實力。

自研主控，筑牢存儲技術底座

依托多年深耕存儲領域的技術積累與持續的研發投入，宏芯宇已實現核心技術自主可控 —— 在 eMMC、PCIe SSD、SATA SSD、USB、UFS 五大主流存儲品類中，布局了自研主控芯片，產品覆蓋 AI 手機、AI PC、智能手表、智能平板、商顯設備、網絡通信等多元智能終端需求場景。本次展會，宏芯宇重點展出四款代表性主控芯片，其性能優勢與技術特色備受關注：

HG283 PCIe Gen3X4 SSD 主控芯片：采用集成SRAM創新設計，不需外掛DRAM，大幅簡化硬件架構；支持主機內存緩沖器（HMB）技術，可高效利用主機內存提升存儲性能；同時搭載 LDPC+RAID 雙重糾錯機制，保障數據存儲穩定性。該芯片連續讀寫速度分別可達 3400MB/s 和 2500MB/s，為高性能存儲設備提供核心支撐。

HG2259 SATA SSD 主控芯片：采用新一代 LDPC 糾錯技術，糾錯能力顯著提升，可適配 3D TLC/QLC 等多種類型 NAND 閃存，兼容性極強；形態上支持 2.5 寸、M.2 2280、M.2 2242、mSATA 等主流規格，最大容量可拓展至 2TB，滿足不同設備存儲需求；順序讀寫速度穩定達到 540MB/s 和 500MB/s，兼顧性能與實用性。

HG2232：eMMC5.1 主控芯片：采用 40nm 先進工藝制程，在實現主控芯片小面積設計的同時，有效降低運行功耗，適配低功耗設備場景；可完美搭配 3D TLC 閃存顆粒，搭配自研 SECC（Strong Error Correcting Code）錯誤糾正算法，糾錯能力高達 300 bit/4KB，數據可靠性突出；連續讀寫速度分別達 300MB/s 和 200MB/s，滿足中高端嵌入式設備存儲需求。

HG2319：USB3.2 閃存盤主控芯片：基于 USB3.2 高速傳輸技術，突破傳統閃存盤速度瓶頸，實現存儲速度創新升級；內置 ECC 糾錯算法，具備 BCH 90 Bit 糾錯能力，有效降低數據傳輸與存儲過程中的錯誤率；連續讀寫速度可達 200MB/s 和 130MB/s，為移動存儲設備帶來更快的傳輸體驗。

全棧產品矩陣，適配多元存儲需求

精準洞察全球存儲市場需求變化，宏芯宇針對不同行業應用場景與客戶個性化需求，構建起覆蓋 “嵌入式存儲、固態硬盤、移動存儲、內存產品” 的全系列存儲產品生態，產品廣泛應用于消費電子、可穿戴設備、人工智能、安防監控、工業自動化、汽車電子、物聯網、數據中心、服務器、網絡通信及機器人等領域，以高性能、高可靠性滿足各行業存儲需求：

l嵌入式存儲

宏芯宇嵌入式存儲產品涵蓋eMMC、UFS、uMCP等系列，核心優勢在于采用自主主控芯片與定制化固件算法，實現從 4GB 到 1TB 的全容量覆蓋，適配不同設備存儲規格需求。性能表現上，eMMC 產品讀寫速度分別可達 320MB/s 和 260MB/s，UFS 產品讀取速度更是突破 4300MB/s，uMCP 產品則搭載 UFS2.2 + LPDDR4X 雙協議，傳輸速率高達 4266Mbps，滿足高速數據交互需求。此外，產品支持 - 40℃~85℃工業級寬溫工作范圍，搭配先進糾錯技術，在消費電子、工業控制、汽車電子等嚴苛環境場景中均能穩定運行，為 AIoT 時代提供可靠存儲保障。

l固態硬盤

在固態硬盤領域，宏芯宇通過高性能主控芯片與自研固件算法的深度融合，既實現數據讀寫速度的顯著提升，又滿足不同場景下的大容量需求：

  消費級 PCIe Gen4 SSD：提供 512GB~4TB 容量選擇，順序讀寫速度分別可達 7100MB/s 和 6500MB/s，相比市場同類產品具備明顯速度優勢，無論是大型文件傳輸、專業軟件運行還是 3A 游戲加載，均能實現高效快速處理，為用戶帶來流暢使用體驗。

  企業級SSD：采用 PCIe Gen5 x 4 NVMe 2.0 高端協議，支持 LDPC+RAID 雙重糾錯機制，最大容量高達 16TB，連續讀寫速度分別達到 13GB/s 和 9GB/s；憑借高可靠性、超大容量與卓越的 IOPS表現，成為數據中心、云計算等企業級場景的理想存儲解決方案，可支撐海量數據高效處理與長期穩定存儲。

l移動存儲

宏芯宇移動存儲產品包含 USB 閃存盤（支持 USB 3.2協議）與存儲卡（Micro SD）兩大品類，同樣采用自主高性能主控芯片與優化固件算法，提供 2GB~2TB 多容量選擇，適配筆記本電腦、智能手機、游戲機、相機、便攜終端等各類移動設備，兼顧高速傳輸與便攜性，滿足用戶隨時隨地的存儲與數據交互需求。

l內存產品

聚焦高性能內存產品研發，宏芯宇內存產品涵蓋 LPDDR、DRAM、DRAM Module，其中 DRAM Module 嚴格遵循 JEDEC 國際標準設計規范：

DDR4 UDIMM/SODIMM：支持 8GB~32GB 容量，速率可達 2666Mbps~3200Mbps

DDR5 UDIMM/SODIMM：支持 8GB~64GB 容量，速率可達 4800Mbps~6400Mbps

內存產品產品可廣泛應用于嵌入式產品、消費類筆記本、消費類臺式機、及人工智能領域，為設備高效數據處理與穩定運行提供核心內存支撐。

深耕車規存儲，助力汽車智能化升級

隨著汽車產業向智能化、電動化加速轉型，智能座艙、車載信息娛樂系統、自動駕駛系統（ADAS）及車身控制系統對存儲產品的可靠性、穩定性與性能提出更高要求 —— 不僅需耐受極端溫度、抗電磁干擾，還需滿足長壽命、高安全等嚴苛標準。對此，宏芯宇深耕車規存儲領域，從設計、生產、封裝到測試全流程嚴格把控，確保產品符合汽車行業可靠性與功能安全需求。

目前，宏芯宇已推出 eMMC、UFS、eSSD 三大車規存儲產品系列，所有產品均通過 AEC-Q100 Grade2/3 認證，并嚴格遵循 ISO 26262：2028 ASIL D 功能安全標準開發流程，可完美適配車載中控系統、數字儀表盤、T-box 等關鍵應用場景的長期穩定運行需求：

車規級eMMC：提供8GB~256GB 多容量配置，搭配硬件級 ECC/LDPC 糾錯技術，讀寫速度可達 400MB/s，保障車載系統數據穩定存儲與快速調用；

車規級UFS：支持UFS 2.1/3.1多版本協議，容量覆蓋 64G~512G，內置 LDPC 糾錯機制，讀寫速度可達 1600MB/s，滿足自動駕駛場景下海量數據高速傳輸需求；

車規級eSSD：基于PCIe Gen 4X4 NVMe 1.4 協議，提供 256GB 至 1TB 大容量選擇，傳輸速率高達 3700MB/s，為智能座艙、車載數據處理平臺提供高性能存儲支撐。

 榮耀加冕，彰顯海外存儲市場新高度

宏芯宇重視存儲業務的全球布局，積極踐行國內國際雙循環戰略，海外業績2024年表現亮眼，產品覆蓋歐美、日韓、東南亞等20多個國家。憑借在海外市場的持續投入和出色的市場表現，榮獲elexcon組委會頒發的“出海市場成長獎”。